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光通信器件市场和系统设备商产业现状及未来5年发展趋势预测报告

作者:habao 来源: 日期:2018-4-14 3:24:20 人气:

  近年来,我国光通信产业发展迅速,已经成为全球最大的光通信市场,并涌现出一批全球领先的光系统设备商,华为、中兴、烽火三家在2016年产品总份额就接近全球半数。然而,在光通信市场和系统设备商大放光彩的背后,却隐藏着我国光通信产业大而不强、产业链发展不均衡的尴尬局面。近日《中国光电子器件产业技术发展线年)》(以下简称《线图》)发布,其中明确了光通信期间的未来5年规划。

  “十三五”期间,随着大数据、云计算、第5代移动通信、物联网以及人工智能等应用市场快速发展,全球移户数将突破72亿、移动互联网用户数超过40亿,全球年数据流量增长达到复合年均增长率在25%以上,超过百万亿亿字节。

  2016年,全球光通信器件市场规模达到96亿美元,并始终保持快速增长,预期2020年收入规模将达到166亿美元。其中,电信市场和数据通信市场对光通信器件的需求保持稳定的增长,而接入网市场需求趋于平稳。

  虽然近十年来,我国的光通信产业取得了迅猛发展和骄人成绩。国产光通信设备厂家在全球光通信设备市场份额中占据第一的,但是光通信器件产业与国际领先水平还有较大差距,目前国内核心的光通信芯片及器件仍然严重依赖于进口,高端光通信芯片与器件的国产化率不超过10%,“大而不强”的问题突出。

  2016年美国将中兴通讯纳入出口名单,华为手机从韩国采购5.3万亿韩元芯片等现象,就是对我国信息技术产业发展敲响的警钟。

  高端光通信器件芯片与配套集成电(IC)芯片作为光通信器件的瓶颈,也就是信息技术产业瓶颈中的难题,对我国正在大力发展的光通信产业,已造成极高的产业安全风险,其产业战略重要性与核心技术发展与突破的紧迫性是不言而喻的。

  与设备、光纤光缆市场相比,光通信器件领域还处在充分竞争时代,由于很多光通信器件企业都是在某一细分领域精耕细作,造成了厂商众多、集中度低的市场格局,市场份额也相对比较分散。2016年,全球市场份额排名前10位的厂商中,美日公司占据9席位。

  而国内企业在无源器件、低速光收发模块等中低端细分市场较强,但在高端有源器件、光模块方面的提升空间还很大。从盈利能力看,光通信器件行业本身在整个产业链中的盈利能力是最低的,再加上国内企业集中在中低端产品,盈利水平更是微薄。使得国内大部分厂家无法投入更多资金用于高端产品的技术研发,难以实现健康可持续发展。

  如何改变大而不强的现状,《线图》提出了细致的可行性发展方向。其中,提到将改善企业,营造良性产业生态。国内的产学研没有形成面对产业需求的创新合力,高校和研究所偏离产业的现实需求。应健全以企业为主体、市场为导向、政产学研用相结合的产业技术创新体系,着力突破重点领域共性关键技术,加速科技为现实生产力。

  加强国际市场,推动产业国际化发展。目前,光通信器件产业对国内市场的依赖较大,国际化空间有待拓展,而且面临贸易、安全、专利等多重挑战。需借助国家“一带一”战略,积极培育亚洲、非洲的光通信市场,促使其加强网络建设投入,并且通过国外建厂实现国际化生产,通过国外建设研究中心实现国际化研发。

  重视发展趋势,着眼长远发展,超前规划布局。遵循科技创新与市场发展规律,着眼长远发展,超前规划布局。重视基础研究,通过原创性、基础性、先导性技术的突破,加大投资保障力度。核心技术是产业“命门”。光通信器件产业核心技术必须掌握在中国手中,“大产业”才可能变成“强产业”。

  培育龙头领军企业和新兴中小企业。壮大薄弱环节产业群体培育龙头领军企业,在核心技术开发、标准制定等多方面带动产业做大做强。培育具有原创核心技术和自主知识产权的新兴中小企业。在政策、资金等资源上予以倾斜,强调比较优势和差异化竞争。强化全球资源整合能力,支持企业在供应链、战略方向与资源布局合作,有效利用全球各地区的资源。争取2020年有2——3家企业进入全球光通信器件前十强,并且在核心技术能力上接近、部分领域超过行业标杆企业。2022年国内企业占据全球光通信器件市场份额的30%以上,有1家企业进入全球前3名。

  推动上下游产业链互联互通,规范产业,构建产业生态传统封闭的产业生态体系了创新,融合变革形式下,竞争日益需要综合性资源与能力,构建涵盖的产业生态系统。我国光通信器件产业更应加强上下游联动,一方面,推动国内系统设备厂家优先选用国产光器件,充分发挥国内市场、优质设备商的带动作用;另一方面,产业链上下游可以共同开展技术研发,建立测试平台,共同培育应用生态,参与国际标准制定,从而共同提升主导能力。

  我国的半导体激光器产业化水平是光通信产业链中最薄弱的环节,高端激光器芯片(主要指25Gb/s以上)几乎全部依赖进口。25Gb/s激光器芯片、硅基100Gb/s/200Gb/s相干光收芯片、WSS芯片以及配套的半导体集成电(IC)研发所需要的,可工程化的Ⅲ-Ⅴ族材料工艺、硅基光电子工艺平台能力,是制约国内企业与研究机构在核心芯片上快速创新的瓶颈,也是制约国产芯片大规模应用的主要瓶颈。需要通过搭建共性技术研发平台,加大人才的储备、引进海外高端人才的方式加快补齐短板。